- метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом
- n
microel. Separation by Implanted Oxygen
Универсальный русско-немецкий словарь. Академик.ру. 2011.
